UA-120377348-1
Ваш браузер устарел. Рекомендуем обновить его до последней версии.

SSD IBM FlashSystem NVMe PCIe Gen 4.0 с кэшем MRAM Everspin, характеристики

Опубликовано 08.08.2018

Компании IBM и Everspin представят новые SSD FlashSystem NVMe PCIe Gen 4.0 19ТБ с высокоскоростной памятью MRAM с 7 по 9 августа.

Pris

     Компания Everspin Technologies занимается разработкой MRAM-памяти с 2008 года. В новом поколении устройств хранения данных IBM FlashSystem будет применяться новая архитектура с магниторезистивной RAM (MRAM) для хранения кэша компании Everspin, вместо DRAM с конденсаторной поддержкой. MRAM - одна из самых быстрых и высокопроизводительных технологий энергонезависимой памяти из доступных в настоящее время, но она имеет недостаточную плотность (40-нм) по сравнению с флэш-памятью NAND или памятью 3D XPoint от Intel.

     Компания Everspin единственный поставщик дискретной памяти MRAM, наращивает мощности с помощью имеющихся в настоящее время модулей 256 Мбит (40-нм) и 1 Гбит (22-нм). Модули памяти 1 Гбит (22-нм) созданные в партнерстве с GlobalFoundries, сделали MRAM более привлекательными для использования в системах с обменом больших объемов данных, хотя они все еще малы, чтобы применяться в качестве основного хранилища. Новая система с MRAM переводит существующие в IBM устройства FlashSystem с собственного форм-фактора твердотельных накопителей, на стандартный форм-фактор диска 2,5" с разъемом U.2.

 

     Новые SSD для IBM FlashSystem имеют доступную емкость хранения 4.8 ТБ, 9.6 ТБ и 19.2 ТБ с 64-слойной флэш-памятью 3D TLC NAND, одной из самой высокой плотности TLC. Диски используют 20-канальный интерфейс NAND и 4-полосный хост-интерфейс PCIe Gen 4.0, который может работать в двухпортовом режиме 2 + 2. Новые накопители FlashSystem будут представлены на выставке Flash Memory Summit 2018, которая пройдет с 7 по 9 августа в выставочном Центре Санта-Клары и будут отправлены клиентам в августе, сообщается на сайте Anandtech.

     Известные характеристики выпускаемых компанией Everspin чипов MRAM - 1,6 млн. операций ввода/вывода в секунду, пропускная способность до 3,2 Гбайт/с и задержки исчисляемые наносекундами (время чтения/записи - 3 - 20 нс), с практически неограниченным количеством циклов чтения/записи - >10 в 16 степени.

     В недалеком будущем новая энергонезависимая, скоростная и высокопроизводительная память MRAM придет на смену DRAM и Flash-памяти для других систем. А также надеемся на скорое появление нового интерфейса PCIe Gen 4.0 во всех новых устройствах для персональных пользователей.

Aliexpress WW
Корпорация "Центр"
Tmall Aliexpress RU
М.Видео
Юлмарт
https://afisha.yandex.ru

Содержание

Юлмарт
Pleer
OLDI
М.Видео
GearBest WW
Халва [CPS] RU

Статьи

 

 

 

Архив

 

 

SSD IBM FlashSystem NVMe PCIe Gen 4.0 с кэшем MRAM Everspin, характеристики